इंडियम आर्सेनाइड InAs

वर्णन

इंडियम आर्सेनाइड InAs क्रिस्टल हे किमान 6N 7N शुद्ध इंडियम आणि आर्सेनिक घटकाद्वारे संश्लेषित गट III-V चा एक संयुग अर्धसंवाहक आहे आणि VGF किंवा लिक्विड एन्कॅप्स्युलेटेड झोक्रॅल्स्की (LEC) प्रक्रियेद्वारे एकल क्रिस्टल विकसित केला जातो, राखाडी रंगाचा देखावा, क्यूबिक क्रिस्टल्स स्ट्रक्चरसह , वितळण्याचा बिंदू 942 °C.इंडियम आर्सेनाइड बँड गॅप हे गॅलियम आर्सेनाइड सारखेच थेट संक्रमण आहे आणि निषिद्ध बँड रुंदी 0.45eV (300K) आहे.InAs क्रिस्टलमध्ये इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्सची उच्च एकसमानता, स्थिर जाळी, उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि कमी दोष घनता आहे.VGF किंवा LEC द्वारे उगवलेला एक दंडगोलाकार InAs क्रिस्टल कापला जाऊ शकतो आणि MBE किंवा MOCVD एपिटॅक्सियल ग्रोथसाठी वेफर एज-कट, इचेड, पॉलिश किंवा एपि-रेडीमध्ये बनवला जाऊ शकतो.

अर्ज

इंडियम आर्सेनाइड क्रिस्टल वेफर हा हॉल उपकरणे आणि चुंबकीय क्षेत्र सेन्सर बनवण्यासाठी एक उत्तम सब्सट्रेट आहे त्याच्या सर्वोच्च हॉल मोबिलिटीसाठी परंतु अरुंद ऊर्जा बँडगॅप, उच्च-शक्ती अनुप्रयोगांमध्ये वापरल्या जाणार्‍या 1–3.8 µm तरंगलांबी श्रेणीसह इन्फ्रारेड डिटेक्टरच्या बांधकामासाठी एक आदर्श सामग्री आहे. खोलीच्या तपमानावर, तसेच मध्यम तरंगलांबी इन्फ्रारेड सुपर जाळी लेसर, मिड-इन्फ्रारेड LEDs उपकरणे त्याच्या 2-14 μm तरंगलांबी श्रेणीसाठी फॅब्रिकेशन.शिवाय, InAs हे विषम InGaAs, InAsSb, InAsPSb आणि InNAsSb किंवा AlGaSb सुपर जाली संरचना इत्यादींना आणखी समर्थन देण्यासाठी एक आदर्श सब्सट्रेट आहे.

आता चौकशी

तपशील

टॅग्ज

तांत्रिक तपशील

इंडियम आर्सेनाइड

InAs

इंडियम आर्सेनाइड क्रिस्टल वेफरहॉल उपकरणे आणि चुंबकीय क्षेत्र सेन्सर त्याच्या सर्वोच्च हॉल मोबिलिटीसाठी पण अरुंद एनर्जी बँडगॅप बनवण्यासाठी एक उत्तम सब्सट्रेट आहे, खोलीच्या तपमानावर उच्च-शक्तीच्या अनुप्रयोगांमध्ये वापरल्या जाणार्‍या 1–3.8 µm तरंगलांबीच्या श्रेणीसह इन्फ्रारेड डिटेक्टरच्या बांधकामासाठी एक आदर्श सामग्री आहे, तसेच मिड वेव्हलेंथ इन्फ्रारेड सुपर लॅटिस लेसर, मिड-इन्फ्रारेड LEDs उपकरणे त्याच्या 2-14 μm तरंगलांबी श्रेणीसाठी फॅब्रिकेशन.शिवाय, InAs हे विषम InGaAs, InAsSb, InAsPSb आणि InNAsSb किंवा AlGaSb सुपर जाली संरचना इत्यादींना समर्थन देण्यासाठी एक आदर्श सब्सट्रेट आहे.

नाही.	वस्तू	मानक तपशील
1	आकार	2"	3"	4"
2	व्यास मिमी	५०.५±०.५	७६.२±०.५	100±0.5
3	वाढीची पद्धत	LEC	LEC	LEC
4	वाहकता	P-प्रकार/Zn-doped, N-type/S-doped, Un-doped
5	अभिमुखता	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	जाडी μm	५००±२५	६००±२५	८००±२५
7	अभिमुखता सपाट मिमी	१६±२	22±2	३२±२
8	ओळख फ्लॅट मिमी	८±१	11±1	१८±१
9	गतिशीलता cm2/Vs	60-300, ≥2000 किंवा आवश्यकतेनुसार
10	वाहक एकाग्रता cm-3	(3-80)E17 किंवा ≤5E16
11	TTV μm कमाल	10	10	10
12	धनुष्य μm कमाल	10	10	10
13	वार्प μm कमाल	15	15	15
14	विस्थापन घनता सेमी-2 कमाल	1000	2000	5000
15	पृष्ठभाग समाप्त	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	पॅकिंग	सिंगल वेफर कंटेनर अॅल्युमिनियम पिशवीमध्ये बंद आहे.

रेखीय सूत्र	InAs
आण्विक वजन	१८९.७४
क्रिस्टल रचना	झिंक मिश्रण
देखावा	राखाडी स्फटिक घन
द्रवणांक	(९३६-९४२)°से
उत्कलनांक	N/A
300K वर घनता	५.६७ ग्रॅम/सेमी³
ऊर्जा अंतर	0.354 eV
आंतरिक प्रतिरोधकता	0.16 Ω-सेमी
CAS क्रमांक	1303-11-3
EC क्रमांक	215-115-3

इंडियम आर्सेनाइड InAsवेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कॉर्पोरेशनमध्ये 2” 3” आणि 4” (50mm, 75mm, 100mm) व्यासाच्या आकारात पॉलीक्रिस्टलाइन लंप किंवा सिंगल क्रिस्टल एज-कट, कोरलेले, पॉलिश केलेले किंवा एपि-रेडी वेफर्स म्हणून पुरवले जाऊ शकतात आणि p-प्रकार, n-प्रकार किंवा un-doped चालकता आणि <111> किंवा <100> अभिमुखता.सानुकूलित तपशील आमच्या जगभरातील ग्राहकांसाठी परिपूर्ण समाधानासाठी आहे.