गॅलियम अँटीमोनाइड GaSb

वर्णन

गॅलियम अँटीमोनाइड GaSb, झिंक-ब्लेन्ड जाळीच्या संरचनेसह III-V गटातील एक अर्धसंवाहक, 6N 7N उच्च शुद्धता गॅलियम आणि अँटीमनी घटकांद्वारे संश्लेषित केले जाते आणि एलईसी पद्धतीने स्फटिकात वाढविले जाते दिशा गोठलेल्या पॉलीक्रिस्टलाइन इनगॉट किंवा VGF पद्धतीने EPD<1000cm सह.^-3.GaSb वेफरचे तुकडे केले जाऊ शकतात आणि नंतर एकल क्रिस्टलीय पिंडापासून बनवले जाऊ शकतात ज्यामध्ये उच्च एकसमान इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स, अद्वितीय आणि स्थिर जाळी रचना आणि कमी दोष घनता, इतर सर्वात नॉन-मेटलिक संयुगांपेक्षा उच्च अपवर्तक निर्देशांक.GaSb वर अचूक किंवा ऑफ ओरिएंटेशन, कमी किंवा जास्त डोप केलेले एकाग्रता, चांगली पृष्ठभाग पूर्ण करणे आणि MBE किंवा MOCVD एपिटॅक्सियल वाढीसाठी विस्तृत निवडीसह प्रक्रिया केली जाऊ शकते.गॅलियम अँटीमोनाइड सब्सट्रेटचा वापर फोटो-ऑप्टिक आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक ऍप्लिकेशन्समध्ये केला जात आहे जसे की फोटो डिटेक्टर, दीर्घ आयुष्यासह इन्फ्रारेड डिटेक्टर, उच्च संवेदनशीलता आणि विश्वासार्हता, फोटोरेसिस्ट घटक, इन्फ्रारेड एलईडी आणि लेसर, ट्रान्झिस्टर, थर्मल सेल फोटोव्होल्टिक आणि थर्मो-फोटोव्होल्टेइक प्रणाली.

डिलिव्हरी

वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कॉर्पोरेशन येथे Gallium Antimonide GaSb n-प्रकार, p-प्रकार आणि 2” 3” आणि 4” (50mm, 75mm, 100mm) व्यास, ओरिएंटेशन <111> च्या आकारात न केलेल्या अर्ध-इन्सुलेटिंग चालकतेसह देऊ केले जाऊ शकते. किंवा <100>, आणि वेफर सरफेस फिनिशसह जसे-कट, कोरलेले, पॉलिश केलेले किंवा उच्च दर्जाचे एपिटॅक्सी रेडी फिनिश.सर्व स्लाइस ओळखीसाठी स्वतंत्रपणे लेसर स्क्राइब केलेले आहेत.दरम्यान, पॉलीक्रिस्टलाइन गॅलियम अँटीमोनाइड GaSb लंप देखील परिपूर्ण समाधानासाठी विनंती केल्यावर सानुकूलित केले जाते.

आता चौकशी

तपशील

टॅग्ज

तांत्रिक तपशील

गॅलियम अँटीमोनाइड

GaSb

गॅलियम अँटीमोनाइड GaSbफोटो डिटेक्टर, दीर्घ आयुष्यासह इन्फ्रारेड डिटेक्टर, उच्च संवेदनशीलता आणि विश्वासार्हता, फोटोरेसिस्ट घटक, इन्फ्रारेड एलईडी आणि लेसर, ट्रान्झिस्टर, थर्मल फोटोव्होल्टेइक सेल आणि थर्मो यासारख्या अत्याधुनिक फोटो-ऑप्टिक आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगांमध्ये सब्सट्रेटचा वापर केला जात आहे. - फोटोव्होल्टेइक प्रणाली.

	वस्तू	मानक तपशील
1	आकार	2"	3"	4"
2	व्यास मिमी	५०.५±०.५	७६.२±०.५	100±0.5
3	वाढीची पद्धत	LEC	LEC	LEC
4	वाहकता	P-प्रकार/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	अभिमुखता	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	जाडी μm	५००±२५	६००±२५	८००±२५
7	अभिमुखता सपाट मिमी	१६±२	२२±१	३२.५±१
8	ओळख फ्लॅट मिमी	८±१	11±1	१८±१
9	गतिशीलता cm2/Vs	200-3500 किंवा आवश्यकतेनुसार
10	वाहक एकाग्रता cm-3	(1-100)E17 किंवा आवश्यकतेनुसार
11	TTV μm कमाल	15	15	15
12	धनुष्य μm कमाल	15	15	15
13	वार्प μm कमाल	20	20	20
14	विस्थापन घनता सेमी-2 कमाल	५००	1000	2000
15	पृष्ठभाग समाप्त	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	पॅकिंग	सिंगल वेफर कंटेनर अॅल्युमिनियम पिशवीमध्ये बंद आहे.

रेखीय सूत्र	GaSb
आण्विक वजन	१९१.४८
क्रिस्टल रचना	झिंक मिश्रण
देखावा	राखाडी स्फटिक घन
द्रवणांक	७१०° से
उत्कलनांक	N/A
300K वर घनता	५.६१ ग्रॅम/सेमी³
ऊर्जा अंतर	0.726 eV
आंतरिक प्रतिरोधकता	1E3 Ω-सेमी
CAS क्रमांक	१२०६४-०३-८
EC क्रमांक	२३५-०५८-८

गॅलियम अँटीमोनाइड GaSbवेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कॉर्पोरेशनमध्ये n-प्रकार, p-प्रकार आणि 2” 3” आणि 4” (50mm, 75mm, 100mm) व्यास, ओरिएंटेशन <111> किंवा <100 आकारात अनडॉपेड अर्ध-इन्सुलेटिंग चालकता देऊ केली जाऊ शकते. >, आणि वेफर सरफेस फिनिशसह जसे-कट, कोरलेले, पॉलिश केलेले किंवा उच्च दर्जाचे एपिटॅक्सी रेडी फिनिश.सर्व स्लाइस ओळखीसाठी स्वतंत्रपणे लेसर स्क्राइब केलेले आहेत.दरम्यान, पॉलीक्रिस्टलाइन गॅलियम अँटीमोनाइड GaSb लंप देखील परिपूर्ण समाधानासाठी विनंती केल्यावर सानुकूलित केले जाते.