गॅलियम फॉस्फाइड गॅप

वर्णन

Gallium Phosphide GaP, इतर III-V कंपाऊंड मटेरियल प्रमाणेच अद्वितीय विद्युत गुणधर्माचा एक महत्त्वाचा सेमीकंडक्टर, थर्मोडायनामिकली स्थिर क्यूबिक ZB स्ट्रक्चरमध्ये स्फटिक बनतो, 2.26 eV (300K) च्या अप्रत्यक्ष बँड गॅपसह एक नारिंगी-पिवळा अर्धपारदर्शक क्रिस्टल मटेरियल आहे. 6N 7N उच्च शुद्धता गॅलियम आणि फॉस्फरसपासून संश्लेषित केले आणि लिक्विड एन्कॅप्स्युलेटेड झोक्रॅल्स्की (LEC) तंत्राद्वारे सिंगल क्रिस्टलमध्ये वाढले.गॅलियम फॉस्फाइड क्रिस्टल हे एन-टाइप सेमीकंडक्टर मिळविण्यासाठी सल्फर किंवा टेल्यूरियम डोप केलेले आहे आणि इच्छित वेफरमध्ये पुढील फॅब्रिकेट करण्यासाठी पी-प्रकार चालकता म्हणून झिंक डोप केलेले आहे, ज्यामध्ये ऑप्टिकल सिस्टम, इलेक्ट्रॉनिक आणि इतर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये अनुप्रयोग आहेत.सिंगल क्रिस्टल गॅप वेफर तुमच्या LPE, MOCVD आणि MBE एपिटॅक्सियल ऍप्लिकेशनसाठी Epi-Ready तयार केले जाऊ शकते.वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कॉर्पोरेशनमध्ये उच्च दर्जाचे सिंगल क्रिस्टल गॅलियम फॉस्फाइड गॅप वेफर पी-टाइप, एन-टाइप किंवा अनडॉप केलेले चालकता 2″ आणि 3” (50 मिमी, 75 मिमी व्यास), ओरिएंटेशन <100>, <111 आकारात देऊ केली जाऊ शकते. > एज-कट, पॉलिश किंवा एपि-रेडी प्रक्रियेच्या पृष्ठभागाच्या समाप्तीसह.

अर्ज

प्रकाश उत्सर्जनामध्ये कमी विद्युत् प्रवाह आणि उच्च कार्यक्षमतेसह, गॅलियम फॉस्फाइड गॅप वेफर कमी किमतीच्या लाल, नारंगी आणि हिरवा प्रकाश-उत्सर्जक डायोड (एलईडी) आणि पिवळा आणि हिरवा एलसीडी इत्यादींचा बॅकलाइट आणि एलईडी चिप्स तयार करण्यासाठी ऑप्टिकल डिस्प्ले सिस्टमसाठी योग्य आहे. कमी ते मध्यम ब्राइटनेस, इन्फ्रारेड सेन्सर्स आणि मॉनिटरिंग कॅमेरे उत्पादनासाठी मूलभूत सब्सट्रेट म्हणून GaP देखील मोठ्या प्रमाणावर स्वीकारले जाते.

.