Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

एपिटॅक्सियल (EPI) सिलिकॉन वेफर

वर्णन

एपिटॅक्सियल सिलिकॉन वेफरकिंवा EPI सिलिकॉन वेफर, हे सेमीकंडक्टिंग क्रिस्टल लेयरचे वेफर आहे जे सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या पॉलिश क्रिस्टल पृष्ठभागावर एपिटॅक्सियल वाढीद्वारे जमा केले जाते.एपिटॅक्सियल लेयर हा एकसंध एपिटॅक्सियल ग्रोथद्वारे सब्सट्रेट सारखाच पदार्थ असू शकतो किंवा विषम एपिटॅक्सियल ग्रोथद्वारे विशिष्ट इच्छित गुणवत्तेसह एक विदेशी स्तर असू शकतो, जो एपिटॅक्सियल ग्रोथ तंत्रज्ञानाचा अवलंब करतो ज्यामध्ये रासायनिक बाष्प निक्षेप CVD, लिक्विड फेज एपिटॅक्सी एलपीई, तसेच आण्विक बीम यांचा समावेश होतो. epitaxy MBE कमी दोष घनता आणि चांगली पृष्ठभाग खडबडीत उच्च गुणवत्ता प्राप्त करण्यासाठी.सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वेफर्सचा वापर प्रामुख्याने प्रगत सेमीकंडक्टर उपकरणे, उच्च समाकलित अर्धसंवाहक घटक ICs, स्वतंत्र आणि उर्जा उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये केला जातो, तसेच डायोड आणि ट्रान्झिस्टरच्या घटकांसाठी किंवा द्विध्रुवीय प्रकार, MOS आणि BiCMOS उपकरणांसारख्या IC साठी सब्सट्रेटसाठी वापरला जातो.शिवाय, एकाधिक लेयर एपिटॅक्सियल आणि जाड फिल्म EPI सिलिकॉन वेफर्स बहुतेकदा मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक, फोटोनिक्स आणि फोटोव्होल्टाईक्स ऍप्लिकेशनमध्ये वापरले जातात.

डिलिव्हरी

वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कॉर्पोरेशनमध्ये एपिटॅक्सियल सिलिकॉन वेफर्स किंवा EPI सिलिकॉन वेफर 4, 5 आणि 6 इंच (100mm, 125mm, 150mm व्यासाचे), ओरिएंटेशन <100>, <111>, <1ohm च्या एपिलेयर रेझिटिव्हिटीसह ऑफर केले जाऊ शकतात. -सेमी किंवा 150ohm-सेंमी पर्यंत, आणि एपिलेयरची जाडी <1um किंवा 150um पर्यंत, खोदकाम किंवा एलटीओ ट्रीटमेंटच्या पृष्ठभागाच्या समाप्तीमध्ये विविध आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी, बाहेरील पुठ्ठा बॉक्ससह कॅसेटमध्ये पॅक केलेले, किंवा परिपूर्ण समाधानासाठी सानुकूलित तपशील म्हणून .

आता चौकशी

तपशील

टॅग्ज

तांत्रिक तपशील

एपि सिलिकॉन वेफर

एपिटॅक्सियल सिलिकॉन वेफर्सकिंवा वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कॉर्पोरेशन येथे EPI सिलिकॉन वेफर 4, 5 आणि 6 इंच (100mm, 125mm, 150mm व्यासाचे), ओरिएंटेशन <100>, <111>, <1ohm-cm च्या एपिलेयर रेझिटिव्हिटीसह ऑफर केले जाऊ शकते किंवा 150ohm-cm पर्यंत, आणि एपिलेयरची जाडी <1um किंवा 150um पर्यंत, खोदकाम किंवा एलटीओ ट्रीटमेंटच्या पृष्ठभागाच्या समाप्तीच्या विविध आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी, बाहेर कार्टन बॉक्ससह कॅसेटमध्ये पॅक केलेले किंवा परिपूर्ण समाधानासाठी सानुकूलित तपशील म्हणून.

चिन्ह	Si
अणुक्रमांक	14
आण्विक वजन	२८.०९
घटक श्रेणी	मेटलॉइड
गट, कालावधी, ब्लॉक	14, 3, पी
क्रिस्टल रचना	हिरा
रंग	गडद राखाडी
द्रवणांक	1414°C, 1687.15 K
उत्कलनांक	३२६५°से, ३५३८.१५ के
300K वर घनता	2.329 ग्रॅम/सेमी³
आंतरिक प्रतिरोधकता	3.2E5 Ω-सेमी
CAS क्रमांक	७४४०-२१-३
EC क्रमांक	२३१-१३०-८

नाही.	वस्तू	मानक तपशील
1	सामान्य वैशिष्ट्ये
1-1	आकार	4"	5"	6"
1-2	व्यास मिमी	100±0.5	१२५±०.५	150±0.5
1-3	अभिमुखता	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	एपिटॅक्सियल लेयर वैशिष्ट्ये
2-1	वाढीची पद्धत	CVD	CVD	CVD
2-2	चालकता प्रकार	P किंवा P+, N/ किंवा N+	P किंवा P+, N/ किंवा N+	P किंवा P+, N/ किंवा N+
2-3	जाडी μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	जाडी एकरूपता	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	प्रतिरोधकता Ω-सेमी	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	प्रतिरोधकता एकरूपता	≤3%	≤5%	-
2-7	अव्यवस्था सेमी-2	<10	<10	<10
2-8	पृष्ठभाग गुणवत्ता	कोणतीही चिप, धुके किंवा संत्र्याची साल उरलेली नाही, इ.
3	सब्सट्रेट वैशिष्ट्ये हाताळा
3-1	वाढीची पद्धत	CZ	CZ	CZ
3-2	चालकता प्रकार	P/N	P/N	P/N
3-3	जाडी μm	५२५-६७५	५२५-६७५	५२५-६७५
3-4	जाडी एकरूपता कमाल	3%	3%	3%
3-5	प्रतिरोधकता Ω-सेमी	आवश्यक	आवश्यक	आवश्यक
3-6	प्रतिरोधकता एकरूपता	5%	5%	5%
3-7	TTV μm कमाल	10	10	10
3-8	धनुष्य μm कमाल	30	30	30
3-9	वार्प μm कमाल	30	30	30
3-10	EPD cm-2 कमाल	100	100	100
3-11	एज प्रोफाइल	गोलाकार	गोलाकार	गोलाकार
3-12	पृष्ठभाग गुणवत्ता	कोणतीही चिप, धुके किंवा संत्र्याची साल उरलेली नाही, इ.
3-13	बॅक साइड फिनिश	Etched किंवा LTO (5000±500Å)
4	पॅकिंग	आत कॅसेट, बाहेर कार्टन बॉक्स.

सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वेफर्सप्रामुख्याने प्रगत सेमीकंडक्टर उपकरणे, उच्च समाकलित अर्धसंवाहक घटक ICs, स्वतंत्र आणि उर्जा उपकरणे, डायोड आणि ट्रान्झिस्टरच्या घटकांसाठी किंवा द्विध्रुवीय प्रकार, MOS आणि BiCMOS उपकरणांसारख्या IC साठी सब्सट्रेटसाठी देखील वापरले जातात.शिवाय, एकाधिक लेयर एपिटॅक्सियल आणि जाड फिल्म EPI सिलिकॉन वेफर्स बहुतेकदा मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक, फोटोनिक्स आणि फोटोव्होल्टाईक्स ऍप्लिकेशनमध्ये वापरले जातात.