CZ सिलिकॉन वेफर

वर्णन

CZ सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर Czochralski CZ ग्रोथ पद्धतीद्वारे खेचलेल्या सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन इनगॉटपासून कापले जाते, जे सेमीकंडक्टर उपकरणे बनवण्यासाठी इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगात वापरल्या जाणार्‍या मोठ्या दंडगोलाकार इंगॉट्सच्या सिलिकॉन क्रिस्टल वाढीसाठी मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.या प्रक्रियेत, अचूक अभिमुखता सहिष्णुतेसह क्रिस्टल सिलिकॉनचे एक बारीक बीज सिलिकॉनच्या वितळलेल्या बाथमध्ये आणले जाते ज्याचे तापमान तंतोतंत नियंत्रित केले जाते.सीड क्रिस्टल हळूहळू वितळण्यापासून अतिशय नियंत्रित दराने वर खेचले जाते, द्रव अवस्थेतून अणूंचे क्रिस्टलीय घनीकरण इंटरफेसवर होते, या काढण्याच्या प्रक्रियेदरम्यान सीड क्रिस्टल आणि क्रूसिबल विरुद्ध दिशेने फिरवले जातात, ज्यामुळे एक मोठा एकल तयार होतो. बियाण्याच्या परिपूर्ण स्फटिकासारखे रचना असलेले क्रिस्टल सिलिकॉन.

मानक CZ इनगॉट पुलिंगवर लागू केलेल्या चुंबकीय क्षेत्राबद्दल धन्यवाद, चुंबकीय-क्षेत्र-प्रेरित Czochralski MCZ सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन तुलनेने कमी अशुद्धता एकाग्रता, कमी ऑक्सिजन पातळी आणि विस्थापन आणि एकसमान प्रतिरोधकता भिन्नता आहे जे उच्च तंत्रज्ञान इलेक्ट्रॉनिक घटक आणि उपकरणांमध्ये चांगले कार्य करते. इलेक्ट्रॉनिक किंवा फोटोव्होल्टेइक उद्योगांमध्ये फॅब्रिकेशन.

डिलिव्हरी

वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कॉर्पोरेशनमध्ये CZ किंवा MCZ सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर n-प्रकार आणि p-प्रकार चालकता 2, 3, 4, 6, 8 आणि 12 इंच व्यासाच्या (50, 75, 100, 125,) आकारात वितरित केली जाऊ शकते. 150, 200 आणि 300 मिमी), ओरिएंटेशन <100>, <110>, <111> फोम बॉक्सच्या पॅकेजमध्ये लॅप्ड, एचेड आणि पॉलिश केलेल्या पृष्ठभागाच्या फिनिशसह किंवा कार्टन बॉक्ससह कॅसेट.